AlGaN/GaN HFET電流コラプスの回復過程解析

摘要

AlGaN/GaN HFETの電流コラプス機構解析を目的として、ストレス印加後の回復過程の解析を行なった。回復過程における光照射実験から伝導帯から1.9eV～2.6eVのトラップが負帯電していると考えられる。しかし、回復過程で観測された約270秒の時定数にはトンラップからの電子放出特有の温度依存性がほとんど無かった。ここで観測した270秒程度の回復はトラップからの電子の放出ではなく、バンド間トンネルによるホール生成などの別の機構による回復と考えられる。