AlGaN／GaN HFET 電流コラプスの回復過程解析

摘要

AlGaN／GaNHFET の電流コラブス機構解析を目的として、ストレス印加後の回復過程の解析を行なっ　た。回復過程における光照射実験から伝導帯から1．9eV ～2．6eV のトラップが負帯電していると考えられる。しかし、回復過程で観測された約270 秒の時定数にはトラップからの電子放出特有の温度依存性がほとんど無かった。ここで観測した270秒程度の回復はトラップからの電子の放出ではなく、バンド間トンネルによるホール生成などの別の機構による回復と考えられる。%The recovery process of AlGaN/GaN HFET current collapse is measured. From LED light irradiation experiments, it is estimated that the energy level of the traps responsible for current collapse lies between 1.9eV and 2.6eV from conduction band. The recovery time constant around 270s, however, has almost no temperature dependency indicating not by the electron emission from the traps. It is estimated that the observed recovery may be not related to direct trap mechanisms but other processes such as hole generation by band to band tunneling.'