ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ

摘要

III-V化合物半導体光源をSi基板ないし導波路上に形成した一体型デバイスは、光電子集積回路の実現に有効である。特に量子ドット（QD）レーザは低い発振閾値、高い温度動作安定性を有することから高密度集積に適している。我々は今回、ウェハ融着によるSi基板上電流注入型QDレーザを初めて実現したので報告する。作製したレーザは、Si上電流注入型QDレーザとして初めて1.3μm（＞1.0μm）O-bandでの発振を達成し、また、閾値電流密度は360A/cm~2とSi上QDレーザとして最低値を得ている。