机译:EBSD法分析AlGaN / GaN异质结构的深度应变。
歪み; AlN/GaN多層膜; EBSD; GaN; Strain; AlN/GaN multilayer;
机译:EBSD法分析AlGaN / GaN异质结构的深度应变。
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机译:在应变Si /弛豫SiE / Si(110)异质结构P-MOSFET中的通道方向依赖性
机译:通过光调制反射光谱研究半导体应变异质结构,请参阅使用统计。
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