RF-MBE法を用いたLiAlO{sub}2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価

摘要

今回、LiAlO{sub}2 (100)基上に無極性M面InNの結晶成長に成功したので報告する。RF-MBE法を用いて、LiAlO{sub}2 (100)基板上に直接InNをエピタキシャル成長させた。 成長温度およびV/IIIを変化させて成長を行ったところ、成長温度450℃かつ僅かにIn-rich条件下においてM面InNの結晶成長に成功した。 しかし、成長温度が低くなるにつれてC面InNが混在しやすく、また成長温度450℃においてもN-rich条件ではC面InNの混在が確認された。 このように、LiAlO{sub}2 (100)基板上にM面InNを作製するために、成長温度450℃かつ僅かにIn-rich条件に制御することが重要であることがわかった。 このようにして得られたLiAlO{sub}2 (100)基板上M面InNの透過型電子顕微鏡(TEM)による極微構造評価も行ったので報告する。