ITO透明導電膜の低温成膜における水蒸気の効果

摘要

我々は、運動エネルギー制御堆積法を用いたITO透明導電膜の低温作製を提案し、この方法を用いることで、50℃以下の低温基板上でも、3.5×10{sup}(-4)Ωcmの低抵抗で表面平滑性に優れた．ITO膜が作製できることを報告した。しかしこの方法では①堆積速度が遅い、②成膜中の基板温度が通常のスパッタ法に比べて低いために、残留水蒸気の影響の有無を明らかにすることが求められていた．。 本研究では、上記堆積法を用いた基板温度50℃以下の低温成膜における水蒸気の導入効果を詳細に検討した。 その結果、成膜時にスパッタ槽内への水蒸気の導入は、キャリア密度を増力はせる効果は認められないこと、得られる膜のキャリア移動度は、導入無しの膜と比較して増加すること、これらの結果として膜の電気的特性は劣化することが分かった。これは水蒸気の導入によって、膜中にOの代わりにOHが取り込まれ、より移動度を減少させてしまうものと考えられた。