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蒸気圧制御温度差液相成長法によるGaSe結晶の電気的特性と差周波THz波発生特性

机译:蒸汽压控制液相生长法控制GaSe晶体的温差和差频太赫兹波产生特性

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摘要

ガリウムセレン(GaSe)結晶は高い複屈折性、広い透過波長範囲(0.6-20μm)と大きな非線形光学定数(d_(22)=54pm/V)を併せ持つことから、差周波混合原理に基づく同軸位相整合による高効率THz波発生が可能な非線形光学結晶として期待されている。THz波発生特性向上のためには、ストイキオメトリ組成制御と熱平衡点欠陥の抑制が重要である。さらに遷移金属添加により禁制帯内に自由キャリアの捕獲を促す深い準位を導入することも有効である。そこで本研究では、蒸気圧制御温度差液相成長法により、THz波発生に向けた層状半導体GaSeの結晶成長を行い、成長した結晶は、ホール係数測定により市販Bridgman結晶との比較を行った。また液相成長GaSe結晶によりテラヘルツ波発生に初めて成功したので報告する。
机译:由于镓硒(GaSe)晶体具有高双折射,宽传输波长范围(0.6-20μm)和较大的非线性光学常数(d_(22)= 54 pm / V),因此基于差频混合原理的同轴相位匹配期望它是能够产生高效太赫兹波的非线性光学晶体。为了改善太赫兹波的产生特性,重要的是控制化学计量组成并抑制热平衡点缺陷。通过添加过渡金属,引入能促进禁带内自由载流子捕获的深能级也是有效的。因此,在本研究中,通过蒸气压控制温差液相生长法进行了用于产生太赫兹波的层状半导体GaSe的晶体生长,并通过测量霍尔系数将其与市售的布里格曼晶体进行了比较。我们还报告了通过液相生长的GaSe晶体成功成功地产生了太赫兹波。

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