アンチモン添加半導体量子ドットの作製とその光通信波長半導体レーザ応用

摘要

量子ドットレーザは次世代レーザとして低消費電力、温度無依存が期待されている。 我々はアンチモン系量子ドットを用いた光ファイバ通信用レーザ光源の開発を目指している。 本研究により量子ドット構造近傍へのアンチモン添加法がドット構造改善と発光強度増加に有効である可能性が発見された。 さらにこの方法を用いることにより発光ピークはOバンド帯まで長波長化し、このアンチモン添加量子ドットを用いることによりGaAs基板上でOバンド帯発振を示すレーザダイオードの作製に成功した。 アンチモン添加法は量子ドット半導体レーザの動作波長帯域の拡大に貢献できると考えられる。