RF-MBE法を用いたN極性GaN上へのInNドット成長の観察－N極性InNドット成長メカニズムの考察

摘要

我々は、MBE法を用いてN極性GaN上にInNを成長し、N極性InNドットの成長メカニズムについて調査した。RHEED観察によりInN層の格子緩和はN-rich条件において約1MLの成長で起きることがわかった。 またAFM観察より、格子緩和後(1.74ML)の成長表面に直径12～18nm（平均15.8nm）、高さ約0.3～1.6nm（平均1.00nm）のInNドットの形成が見られた。 これらのドットは成長表面全体に見られ、密度は3.8×10{sup}11cm{sup}(-2)と高い値を示した。 またInNドットの成長について、InNドット同士の融合が起きるまでは主に高さ方向に成長し、成長温度が高い場合、表面マイグレーションの増加によりInNドットが大きくなることもわかった。