ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED

摘要

波長250-280nm帯の紫外LED·LDは今後殺菌用途応用への展開が予測され、その高効率·高出力化が大変期待されている。AlGaN紫外LEDの高効率化のためには、低貫通転位密度AlNテンプレートの使用が重要である。 本研究ではEpitaxial Lateral Overgrowth (ELO)-AlNを用いることにより低貫通転位密度AlNテンプレートを実現し、その上にAlGaN系紫外LEDを作製しCW動作においてミリワット動作を得た。サファイア基板上に、まず、減圧MOCVD法によりアンモニアパルス供給多段成長法を用いて下地AlN層を成長した。 そのAlN層に5/3μmのストライプ構造を形成した後、ELO-AlNを作製した。 その上にAlGaN3層量子井戸を発光層とするLEDを作製した。 ELO-AlN上AlGaN-LEDからは波長273nmの強い発光ピークが得られ、室温CW動作において最大出力は2.7mW，最大外部量子効率(EQE)は0.04％であった。