東北大、永久スピンらせん状態と逆永久スピンらせん状態間の電気的制御に成功、次世代省電力·高速演算スピンデバイスの実現へ期待

摘要

東北大学の研究グループは、半導体量子井戸の精密な構造設計により、スピン演算素子に必要な永久スピンらせん状態と逆永久スピンらせん状態間の電界制御に成功した。これら2種類の永久スピンらせん状態間を電界制御することにより、半導体中の電子スピンの情報を長時間·長距離保持することが可能となるとともに、正確に情報伝達することが実現できた。この技術は、相補型電界効果スピントランジスタやスピン量子情報などの電子スピンを用いたデバイスの実現に大きく貢献すると考えられるとしている。