世界初、シリコンCMOSトランジスタの限界を打破する革新的技術を開発

摘要

新エネルギー·産業技術総合開発機構（NEDO）の若手研究グラントの一環として、九州大学の浜屋宏平准教授は、シリコンCMOSトランジスタの高性能化限界を打破する革新的なメタルソース／ドレイン技術を開発した。次世代の高速半導体チャネル材料として期待されているゲルマニウムのゲルマニウムと金属の接合界面を原子層レベルで高度に制御できるこの技術は、これまで不可能と考えられてきたメタルソース／ドレインのn－ゲルマニウムチャネルトランジスタの作製を可能とし、寄生抵抗を大幅に低減したGe－CMOSを実現することができる。