富士通＆東京工業大学，次世代大容量FeRAMを可能とする新材料を開発

摘要

情報ネットワーク社会が進むにつれ,より小形で簡便かつセキュリティの高いICカードなどが求められている。 これらの製品には，低消費電力で高速な不揮発性メモリを内蔵しており，FeRAMは，これを実現するメモリとして利用されている。 富士通は，1999年からFeRAMの量産出荷をしており，現在1Mbitまでの製品を提供しているが，FeRAMの現行材料のチタン酸ジルコン酸鉛では，記録保持能力の制約から，さらなる微細化に対応できず，130nmテクノロジーが限界とされてきた。 そのため，FeRAMの大容量化の限界は，09年と予想されていた。