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超音速フリージェットPVDによる多結晶Si膜の形成と膜組織観察

机译:超声自由射束PVD法形成多晶硅膜及观察膜结构

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摘要

TFTや薄暮太陽電池など高度情報化社会を支えるシリコン(Si)は,アモルファスシリコン(a-Si)膜がおもに使用されているが,より高電子移動度を有するデバイスを形成するためにa-Si膜から多結晶Si膜への転換が必要不可欠と指摘されている。 多結晶Si膜を形成される技術に求められるのは,成膜速度が迷いこと,緻密な膜が形成できること,多様な材質に成膜できること,基板へのダメージを与えないよう低温で成膜できること,などが挙げられる。本研究では超音速フリージェットPVDにより,ガラス基板上にSi膜を形成させ,膜の組織観察を行った。
机译:非晶硅(a-Si)膜主要用于支持先进信息社会(例如TFT和暮光太阳能电池)的硅(Si),但非晶硅(a-Si)用于形成具有更高电子迁移率的器件。已经指出,从膜到多晶硅膜的转化是必不可少的。要求形成多晶硅膜的技术不确定成膜速度,能够形成致密膜,能够在各种材料上形成膜,并且能够在低温下形成膜以免损坏基板。 ,等等。在该研究中,使用超音速自由喷射PVD在玻璃基板上形成Si膜,并观察了膜的结构。

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