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GPS用低雑音増幅器

机译:GPS用低雑音増幅器

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摘要

三菱電機は,これらの要求に対応するために,エンハンスメントモードの低雑音性に優れたGaAs HEMT(砒化(ひか)ガリウムHigh Electron Mobility Transistor)プロセスを開発·採用した。また,入力端子部と出力端子部のDCカットコンデンサを集積化することによって,外部に必要な部品点数は,入力側の整合用インダクタと電源(V_(DD))端子のデカップリング用キャパシタの2つとし,さらに,静電気(Electro Static Discharge:ESD)保護回路を含む整合回路を構成,回路レイアウトの最適化によって,パッケージサイズ1.0×1.45×0.5(mm)の小型化と,雑音指数0.75dBの低雑音化を達成した。今回開発したGPS用低雑音増幅器“MGF7301”は,利得19dB,動作電流5mAの高利得,低電流を実現し,外部からの制御電圧によるスタンバイモードへの切り換え機能を備えた,6ピンリードレスプラスチックパッケージ型の低雑音増幅器である。
机译:为了满足这些需求,三菱电机开发并采用了GaAs HEMT(Hikagallium高电子迁移率晶体管)工艺,该工艺在增强模式下具有极低的噪声。另外,通过对输入端子和输出端子的直流截止电容器进行集成,输入侧的匹配电感器和电源(V_(DD))端子的去耦电容器所需的外部零件数量为2。另外,配置了包括静电放电(ESD)保护电路的匹配电路,并且通过优化电路布局,将封装尺寸减小到1.0 x 1.45 x 0.5(mm),并且噪声指数低至0.75 dB。实现了降噪。新开发的GPS低噪声放大器“ MGF7301”是6引脚无铅塑料,可实现19 dB的增益,5 mA的高工作电流增益和低电流,并具有通过外部控制电压切换至待机模式的功能。它是一种封装型低噪声放大器。

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