机译:无反激式IGBT的p发射极长度的理论计算
reverse conducting; insulated gate bipolar transistor; voltage snapback;
机译:无反激式IGBT的p发射极长度的理论计算
机译:具有集成多晶硅二极管的新型低关断损耗和无回跳的反导SOI-LIGHT
机译:具有内置晶闸管的一种新型卷曲反向导通(RC)SOI-LIGBT
机译:具有Si / SiC异质结的新型无回跳反向导通IGBT
机译:计算具有不同逆变器额定值和馈线长度的微电网的下垂参数。
机译:基于QM / MM计算的理论红外光谱提供了Ras蛋白诱导的GTP配体电荷分布键长和键角的变化
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