机译:BiFeO3 / La0.7Sr0.3MnO3异质结构与III-V半导体的集成,用于低功率非易失性存储器和多铁性场效应晶体管
机译:BIFEO3 / LA0.7SR0.3MNO3异质结构与III-V半导体,用于低功耗非易失性记忆和多体磁场效应晶体管(Vol 4,PG 10386,2016)
机译:BiFeO3 / La0.7Sr0.3MnO3异质结构与III-V半导体的集成,用于低功率非易失性存储器和多铁性场效应晶体管
机译:基于金属 - 铁电绝缘 - 场效应晶体管Y2O3 / Si(100)对y203 / si(100)的集成
机译:多体型COFEB /(011) - PMN-PT异质结构中非易失性磁化切换的电场控制
机译:III-V化合物半导体异质结构场效应晶体管和光电集成电路的增强/耗尽工艺。
机译:半导体:基于并五苯/ P13 /并五苯作为电荷传输层和陷阱层的有机半导体异质结构的高性能非易失性有机场效应晶体管存储器(Adv。Sci。8/2017)
机译:mn掺杂BiFeO3的异质外延生长和多铁性 srTiO3缓冲III-V半导体Gaas上的薄膜