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Tuning the field emission properties of AlN nanocones by doping

机译:通过掺杂调整AlN纳米锥的场发射特性

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摘要

Patterned arrays of Si- or Mg-doped AlN nanocones were synthesized via chemical vapor deposition. The field emission properties of the AlN nanocones were enhanced with Si-doping but deteriorated with Mg-doping, which demonstrated the great potential of doping in tuning the properties of field emitters.
机译:经由化学气相沉积合成了Si或Mg掺杂的AlN纳米锥的图案化阵列。 AlN纳米锥的场发射特性随Si掺杂而增强,但随Mg掺杂而变差,这表明掺杂在调节场致发射体的性能方面具有巨大潜力。

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