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【24h】

Effect of contact area on synthesis of silicon carbide through carbothermal reduction of silicon dioxide

机译:接触面积对碳热还原法合成碳化硅的影响

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摘要

Amonest the various mechanisms that have been proposed to explain the carbothermal reduction of silicon dioxide to synthesize silicon carbide (1) SiO2(s) + 3C(s) - SiC(s) + 2CO(g) only two mechanisms have been widely accepted. The first one [1-8] involves reaction of solid silicon dioxide with solid carbon to produce silicon monoxide gas and carbon monoxide gas. The silicon monoxide gas thus produced, subsequently reacts with solid carbon to produce solid silicon carbide and carbon monoxide gas.
机译:在已经提出的解释二氧化硅碳热还原以合成碳化硅(1)SiO2 + 3C(s)-SiC(s)+ 2CO(g)的各种机理中,只有两种机理被广泛接受。第一个[1-8]涉及固体二氧化硅与固体碳的反应以产生一氧化硅气体和一氧化碳气体。如此产生的一氧化硅气体随后与固体碳反应以产生固体碳化硅和一氧化碳气体。

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