机译:组成对温度低于200°C沉积的多功能氮化硅薄膜电性能的影响
silicon nitride; dielectric; photonic device; PE-CVD; low temperature;
机译:组成对温度低于200°C沉积的多功能氮化硅薄膜电性能的影响
机译:低压化学气相沉积氮化硅薄膜在高达650°C的温度下的电性能
机译:低压化学气相沉积氮化硅薄膜在650℃以下温度下的电性能
机译:基于两种不同成分的钛合金表面石墨烯和氮化硅薄膜沉积的混合涂层体系的结构,机械和腐蚀性能的比较
机译:射频反应磁控溅射在低温下沉积在硅上的压电氮化铝薄膜的声波器件特性
机译:等离子体增强原子层沉积在低温下沉积的HfO2薄膜的结构光学和电学性质
机译:低温(100℃)催化CVD制备的氮化硅膜的电性能与工艺参数的相关性
机译:等离子体沉积的薄氮化硅薄膜在700℃的温度下的粘附,摩擦和磨损