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All-wet, metal-compatible high-dose-implanted photoresist strip

机译:全湿金属兼容大剂量植入光刻胶条

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摘要

An all-wet process based on a novel chemistry has been developed to enable the removal of high-dose implanted photoresist in the presence of exposed metal layers and other materials typical of advanced gate stacks.
机译:已经开发出一种基于新型化学方法的全湿工艺,能够在存在暴露的金属层和其他先进栅堆叠典型材料的情况下去除大剂量注入的光刻胶。

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