机译:电流模式深电平瞬态光谱研究AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中的深陷阱:器件位置的影响
AlGaN/GaN HFETs; current deep-level transient spectroscopy (I-DLTS); deep-level traps; spatial variation;
机译:电流模式深电平瞬态光谱研究AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中的深陷阱:器件位置的影响
机译:电容和电流模式深电平瞬态光谱学表征的4H-SiC场效应晶体管中的陷阱
机译:电容和电流模式深层瞬态光谱学表征的4H-SiC场效应晶体管中的陷阱
机译:利用MOCVD在GaN衬底上生长的GaN pn结中的陷阱的深层瞬态光谱表征
机译:用于确定半导体器件中陷阱参数的深层瞬态光谱法(DLTS)
机译:栅极长度与漏极-源极距离之比对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中电子迁移率的影响
机译:深能级瞬态光谱研究AlGaN / GaN异质结构中的深陷阱:GaN缓冲层中碳浓度的影响