Photoluminescence Characteristics and Pit Formation of InGaN/GaN Quantum-Well Structures Grown on Sapphire Substrates by Low-Pressure metalorganic Vapor Phase Epitaxy

著录项

• 来源
  《Journal of Electronic Materials》 |1999年第3期|共6页
• 作者

  UCHIDA KENJI; KAWATA MASAHIKO; YANG TAO; GOTO SHIGEO; MISHIMA TOMOYOSHI; NIWA ATSUKO; GOTOH JUN;

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• 作者单位

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• 收录信息
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 材料;
• 关键词

  Compositional fluctuation; GaN; growth-rate variation; hexahedronal pit; InGaN; metalorganic vapor phase epitaxy(MOVPE); quantum-well(QW); re-evaporation;

  机译：成分涨落;GaN;生长速率变化;六面体凹坑;InGaN;金属有机气相外延（MOVPE）;量子阱（QW）;再蒸发;