A Novel Magnetic Random Access Memory Design Using Square Ring Elements for the Hard Layer

Dwarakanath N.Geerpuram; Anand S.Mani; Vidhya Shankar Baskaran

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A Novel Magnetic Random Access Memory Design Using Square Ring Elements for the Hard Layer

机译：使用正方形环元素用于硬层的新型磁随机存取存储器设计

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The behavior of narrow permalloy square rings under the influence of a magnetic field was studied using magnetic force microscopy(MFM).Two stable states of opposite polarity at remanence and simple switching were observed.We propose a design for the hard layer of magnetic random access memory(MRAM)that uses these states in square rings for data storage.

机译：利用磁力显微镜（MFM）研究了窄坡莫合金方环在磁场作用下的行为，观察了剩磁和简单切换两种相反极性的稳定状态，提出了一种磁性随机存取的硬层设计使用这些状态以方环形式存储数据的内存（MRAM）。

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来源
《Journal of Electronic Materials》 |2004年第11期|共5页
作者
Dwarakanath N.Geerpuram; Anand S.Mani; Vidhya Shankar Baskaran;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类材料;
关键词
Magnetic random access memory(MRAM); permalloy square rings; data storage;

机译：磁性随机存取存储器（MRAM）;坡莫合金方环;数据存储;

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