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机译:原位金属有机化学气相沉积法在AlGaN / GaN上生长SiN_(x)晶体超薄膜
SiN_(x); GaN; heterojunction field-effect transistor; in situ; metalorganic chemical vapor deposition; transmission electron microscopy; electron energy loss spectroscopy; first-principles calculation; atomic force microscopy;
机译:原位金属有机化学气相沉积法在AlGaN / GaN上生长SiN_(x)晶体超薄膜
机译:应变对AlGaN膜中Al掺入的影响以及通过金属有机化学气相沉积法生长的AlGaN / GaN异质结构的性质
机译:金属有机化学气相沉积法在低温甘缓冲层上生长的铝膜中铝成分的变化
机译:我们在Si底物上报告了常常数-FaN基的异质结场效应晶体管(HFET)。使用金属化学气相沉积(MOCVD)生长AlGaN / AIN / GaN异质结构。用于常关操作的HFET W.
机译:通过等离子体增强的金属有机化学气相沉积法制得的锶钛氧化物和钡(1-x)锶钛氧化物外延薄膜。
机译:使用通过金属有机化学气相沉积法生长的原位GaN纳米结构的无磷白光发射器
机译:采用金属有机化学气相沉积法生长GaN中间层的alGaN基分布布拉格反射镜的应变管理