机译:氢化物气相外延在不同极性的缓冲层上生长GaN
GaN; hydride vapor-phase epitaxy (HVPE); molecular-beam epitaxy (MBE); polarity;
机译:氢化物气相外延在不同极性的缓冲层上生长GaN
机译:在具有AlN缓冲子层的Si(111)衬底上的氢化物-氯化物系统中通过气相外延生长的GaN薄膜
机译:氢化物气相外延在不同极性缓冲层上的GaN性质
机译:用氢化物气相外延ZnO缓冲层GaN生长初期的横向和垂直生长研究
机译:用于未来III-氮化物生长的氢化物气相外延生长GaN衬底的表征
机译:用于独立式GaN晶片自释放缓冲层的25英寸六角形BN单层膜的大卷生长
机译:双缓冲层对射频等离子体辅助分子束外延生长Ga极性GaN薄膜性能的影响