Characterization of the CH_4/H_2/Ar High Density Plasma Etching Process for HgCdTe

EDDY C.R.; LEONHARDT D.; SHAMAMIAN V.A.

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【24h】

Characterization of the CH_4/H_2/Ar High Density Plasma Etching Process for HgCdTe

机译：HgCdTe CH_4 / H_2 / Ar高密度等离子体刻蚀工艺的表征

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来源
《Journal of Electronic Materials》 |1999年第4期|共8页
作者
EDDY C.R.; LEONHARDT D.; SHAMAMIAN V.A.;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类材料;
关键词
CH_4/H_2/Ar; HgCdTe; plasma etching;

机译：CH_4 / H_2 / Ar;HgCdTe;等离子体刻蚀;

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