机译:ZnMgS作为隧道栅绝缘体的砷化铟镓量子点栅场效应晶体管(QDG-FET)的制备和仿真
InGaAs MOSFET; high κ; ZnMgS gate dielectric; II-VI insulator; quantum dot gate; multistate behavior;
机译:ZnMgS作为隧道栅绝缘体的砷化铟镓量子点栅场效应晶体管(QDG-FET)的制备和仿真
机译:高性能砷化镓磷化物-砷化铟镓隧道场效应晶体管的基于物理的仿真研究
机译:使用ZnS / ZnMgS / ZnS异质外延堆栈作为绝缘体上硅衬底上的隧道绝缘体的量子点栅三态和非易失性存储场效应晶体管
机译:用(LA_(0.5)Y_(0.5))_ 2O_3栅极绝缘体的制造和表征氧化铟镓锌氧化锌(IGZO)薄膜晶体管
机译:自对准后栅极磷化铟和砷化铟镓砷场效应晶体管(FET,光电)的研究。
机译:T形闸门隧道场效应晶体管单事件效应模拟研究
机译:砷化镓铟/铝铟砷化物和砷化镓铝铟砷/铝铟砷化物MQW器件在1.3μm的室温载流子寿命和光学非线性