Rutgers The State University of New Jersey - New Brunswick.;
机译:ZnMgS作为隧道栅绝缘体的砷化铟镓量子点栅场效应晶体管(QDG-FET)的制备和仿真
机译:垂直夹层门 - 全围式场效应晶体管,具有自对准的高k金属栅极和小的有效栅极长度变化
机译:远程氧等离子体处理III族氮化物隐栅场效应晶体管的研究
机译:基于磷化铟氧化物,磷化铟,砷化铟镓镓和锑化铟镓镓的光伏电池效率的提高
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:砷化镓垂直沟道绝缘栅场效应晶体管。