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Weiterentwicklung beim Thermosonic-Drahtbonden

机译:热超声引线键合的进一步发展

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摘要

Wesentliche Entwicklungsrichtungen beim nach wie vor dominierenden Ther-mosonic-Drahtbonden wurden bereits in [1, 2] betrachtet. Bemerkenswert ist, dass in jungster Vergangenheit verstarkte Anstrengungen unternommen wurden und auch noch werden, den moglichen Pitch - das Rastermass - beim Bonden weiter zu verringern. Die folgenden Ausfuhrungen wurden vor allem aus [3] bekannt: Als ein Hauptgrund fur die Anstrengungen zur Realisierung immer kleinerer Pitches beim Thermosonic-Draht-bonden wird die Bewahrung einer kostengunstigen Alternative zur Flip-Chip-Technik angefuhrt. Wahrend unter Produktionsbedingungen zur Jahrtausendwende 60 mu m und Ende des vergangenen Jahres 50 mu m (bei Bonddrahtdurchmessern von 20 mu m und darunter) Anwendung fanden, wurden unter Laborbedingungen im vergangenen Jahr bei 15 mu m Drahtdurchmesser bereits 35 mu m und in diesem Jahr bei 12,5 mu m Drahtdurchmesser sogar 30 bzw.
机译:在[1,2]中已经考虑了仍然占主导地位的热超声引线键合的主要发展方向。值得注意的是,在最近的过去,人们已经做出并将继续努力,以进一步减小粘结过程中可能的间距(网格尺寸)。从[3]中可以大致了解以下陈述:努力实现热超声引线键合中越来越小的间距的主要原因是保留了倒装芯片技术的廉价替代品。尽管在千禧之交的生产条件下使用的是60μm,去年年底是在生产条件下使用的是50μm(对于直径为20μm及以下的接合线),而在实验室条件下,去年使用的直径为15μm的线径已经是35μm,今年已经使用了12μm ,线径5微米,甚至30微米。

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