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机译:使用四甲氧基硅烷通过等离子体增强CVD制备的氧化硅膜的阻气性
Silicon oxide; Pecvd; Gas barrier; Organosilane; Oxygen transmittance; Chemical-vapor-deposition; Low-temperature deposition; Dioxide films; Spectroscopy; Sio2-films; Tetraethoxysilane; Oxygen; Sio2;
机译:使用四甲氧基硅烷通过等离子体增强CVD制备的氧化硅膜的阻气性
机译:氨结合四甲基硅烷基PECVD法制备氧化硅膜的阻气性能
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机译:等离子体增强CVD二氧化硅膜的光学和热机械性能
机译:镧镍氧化物电极上MOCVD衍生的钙钛矿铅锆(x)钛(1-x)氧(3)和铅(scan钽)(1-x)钛(x)氧(3)薄膜的微观结构和电性能缓冲硅
机译:在一个反应器中通过等离子体增强的ALD和CVD制备的有机-无机薄多层膜的防潮性能
机译:四甲基硅烷基pECVD与氨合成氧化硅薄膜气体阻隔性能的影响
机译:硅氧化研究:热制备siO2薄膜性质的起源。