氧等离子体处理聚硅烷涂层制备二氧化硅薄膜

摘要

用氧等离子体法在低温下已将自合成的聚硅烷涂层成功地转变为二氧化硅薄膜.红外光谱分析表明薄膜的Si-O伸缩振动特征峰为1075cm-1,并随处理时间的延长峰位向高波数移动,可至1088cm-1.光电子能谱测得薄膜中的O1s和Si2p的电子结合能分别为533.0ev和103.8ev,硅氧原予接近化学计量比.拉曼光谱分析也表明薄膜中含有一个极大的拉曼特征峰.