机译:通过透射电子显微镜,X射线衍射和卢瑟福背散射对InGaN / GaN多量子阱进行比较表征
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机译:通过透射电子显微镜和X射线衍射显示,LP-MOCVD在块状GaN晶体上生长的InGaN / GaN激光有源结构中的均匀铟分布
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机译:透射电子显微镜和X射线散射的InGaN-GaN量子井化学和界面分析
机译:使用原子序数对比扫描透射电子显微镜和卢瑟福背散射光谱技术对硒化镉纳米晶体系统进行原子能级表征。
机译:InGaN / GaN多量子阱发光二极管中的光电性能变化:电位波动的影响
机译:通过透射电子显微镜,离子束反向散射和低角度X射线衍射表征TiN / B-C-N多层膜
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