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Dynamic Localization Condition of Two Electrons in Strong dc-ac Biased Quantum Dot Molecule

机译:强dc-ac偏置量子点分子中两个电子的动态定位条件

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摘要

We present a perturbation investigation of dynamic localization condition of two electrons in a strong dc-ac biased quantum dot molecule. By reducing the system to an Hubbard-type effective two-site model and by applying Floquet theory, we find that the dynamical localization phenomenon occurs under certain values of the large strength of the dc and ac field. This demonstrates the possibility of using appropriate dc-ac fields to manipulate dynamical localized states in mesoscopic devices, which is an essential component of practical schemes for quantum information processing. Our conclusion is instructigve to the field of quantum function devices.
机译:我们提出了一个强dc-ac偏置量子点分子中两个电子的动态定位条件的摄动研究。通过将系统简化为一个Hubbard型有效的两点模型并应用Floquet理论,我们发现动态局部化现象是在直流和交流磁场强度较大的某些值下发生的。这证明了使用适当的dc-ac场来操纵介观器件中动态局部状态的可能性,这是量子信息处理实用方案的重要组成部分。我们的结论对量子功能器件领域具有指导意义。

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