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机译:浮栅只读存储器和静态随机存取存储器中辐射效应的实验研究
single event effect; total ionizing dose effect; FG ROM; SRAM;
机译:浮栅只读存储器和静态随机存取存储器中辐射效应的实验研究
机译:浮栅只读存储器和静态随机存取存储器中辐射效应的实验研究
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机译:电离辐射对静态随机存取存储器的数据保留的影响
机译:静态随机存取存储器中多个细胞不适的模式识别:实验测试结果与单事件不适机制的相关性。
机译:整体式3D逻辑电路和静态随机存取存储器的电耦合和仿真
机译:65 nm技术中的1G-Cell浮栅和闪存,具有100ns随机接入时间
机译:sEU(单事件翻转)容忍存储器单元源自sRam中的sEU机制的基础研究(静态随机存取存储器)