ナノメータ時代へ向かう半導体プロセス③ －65nmノードに向けたlow－k／Cu配線プロセズの最新開発状況

摘要

1）ポ一ラMSQの材料特性として、隣接配線間耐圧確保と絶縁膜構造の耐熱性（耐応力性）政善のためにポロシティ＜30％、モジュラス強度＞8GPaが必要であることを示した。 2）高温He/H{sub}2アッシンダブロセスは、ポーラスMSQに対するプラズマダメージが小さく、誘電率上昇やLow－kボイド発生を抑制する。 3）PVD条件を最適化することにより機細Via埋め込み特性を改善した。 4）上記プロセスを用いて、ポーラスMSQ/有櫨樹脂ハイプリツト構造を有するCuデュアルダマシン配線構造を試作した。 この試作結果から、Via導通特性、隣接配線間リー夕晴性等の基本的な電気特性を確認した。 5）試作した配線構造を評価した結果、隣接配線間リーク電流は、ポーラスMSQ/有機樹脂の密着処理依存性が大きいことが判明した。