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机译:硅器件中主要载流子和少数载流子迁移率的温度依赖性分析模型
Semiconductor-device simulation; Bulk mobility model; Majority- and minority-carriers; Temperature dependence; N-type silicon; Boron-doped silicon; Transport-properties; Hole mobilities; Dopant density; Electron; Resistivity; Simulation;
机译:硅器件中主要载流子和少数载流子迁移率的温度依赖性分析模型
机译:具有半绝缘多晶硅屏蔽层的绝缘子上绝缘硅简化表面场器件的分析模型
机译:硅纳米线器件的电导率和迁移率模型的计算比较
机译:多晶硅与硅双极器件(包括太阳能电池)的接触的少数载流子传输模型
机译:使用第一原理库仑散射迁移率建模和器件仿真来表征4H碳化硅MOSFET。
机译:PC-ABS熔融沉积制造零件的温度相关动态力学性能的分析建模和优化
机译:硅装置二维像素液晶二维像素液晶闪光光栅的分析模型