机译:自旋依赖性塞贝克效应以及H和F掺杂石墨烯的能带边缘处的热电参数的巨大增长,自立并沉积在4H-SiC(0001)C面上
机译:自旋依赖性塞贝克效应以及H和F掺杂石墨烯的能带边缘处的热电参数的巨大增长,自立并沉积在4H-SiC(0001)C面上
机译:通过化学气相沉积法在同轴(0001(-))C面基板上4H-SiC的同质外延生长
机译:具有扶手椅边缘的交叉石墨烯超晶格p-n结的自旋相关输运性质和塞贝克效应
机译:冷壁和热壁化学气相沉积(0001)C面基板的4H-SiC的外延生长
机译:氢气下生长后退火在4H-SiC(0001)上外延石墨烯中的高电子迁移率
机译:依赖于自旋的塞贝克效应和热电的巨大增长 H-和F-掺杂石墨烯中带边缘的参数,自立式和 沉积在4H-siC(0001)C面上