Ruckseitenmetallisierung Wafer-basierter Si-Solarzellen mittels EB-PVD: Ein neues Anwendungsfeld fur PVD-Technologien

摘要

Mit dem Elektronenstrahlverdampfen ist eine neuartige Beschichtungstechnologie fur die Ruckseitenmetallisierung von Wafer-basierten Si-Solarzellen ins Blickfeld gekommen. Die Motivation ergibt sich aus dem Kostendruck im Wettbewerb mit der Dunnschicht- Photovoltaik und dem Kosteneinsparpotenzial durch Anwendung des Elektronenstrahlverdampfens. Der Beitrag stellt ein hochproduktives Anlagenkonzept naher vor und geht darauf ein, unter welchen Gesichtspunkten eine Anlagenkonzeptanpassung an die jeweils besonderen Solarzellen-typischen Merkmale erforderlich ist. Ausserdem werden verschiedene PVD-Technologien hinsichtlich ihres Einsatzpotenzials fur die Wafer-Ruckseitenmetallisierung miteinander verglichen. Herausforderungen bei der Einfuhrung der Elektronenstrahl-Verdampfungstechnologie und besondere Chancen, die ihr Einsatz eroffnet, werden betrachtet.