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Reibung und Verschleiss von amorphen Kohlenstoff-Silizium-Schichten

机译:非晶碳硅层的摩擦磨损

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摘要

Amorphe Kohlenstoffschichten ohne und mit Zusatzen von Silizium wurden mittels Magnetronzerstaubung auf Hartmetallsubstraten abgeschieden. Die eingesetzten speziellen Targets wurden durch Heisspressen einer homogenen Mischung von Graphit- und Siliziumcarbidpulver hergestellt. Die Abscheidung von Einlagenschichten mit drei unterschiedlichen Zusammensetzungen (100 at% C, 5 at% Si in C, 23 at% Si in C) erfolgte jeweils ohne und mit zusatzlichem Argonionenbeschuss (300 eV). Der Ionenbeschuss fuhrte zu einer Erhohung der Harte reiner Kohlenstoffschichten (von 1400 auf ca. 4000 HV0.05) und der Kohlenstoffschichten mit 5 at% Silizium (von 1400 auf ca. 2500 HV0.05). Durch die Erhohung der Siliziumkonzentration wurde der Reibwert gegen 100Cr6 (1.3505) von 0,15 auf 0,06 reduziert, jedoch war der volumetrische Verschleiss der Schicht hoher als bei reinen Kohlenstoffschichten. Durch die Abscheidung als Viellagenschichten, die aus Einzellagen aus 100 at% C und 23 at% Si in C bestehen, kann ein niedriger Reibwert (0.05) mit einer hohen Harte (2600 HV0.05) und geringem Verschleiss kombiniert werden. Diese Schichten sind sehr vielversprechend zum Einsatz als Verschleissschutzschichten.
机译:通过磁控溅射将具有和不具有硅的非晶碳层沉积在硬质金属基板上。通过热压石墨和碳化硅粉末的均匀混合物来生产所使用的特殊靶材。在具有和不具有额外的氩离子轰击(300eV)的情况下,进行具有三种不同组成(100at%C,5at%C的Si,C中23at%的Si)的单层的沉积。离子轰击导致纯碳层(从1400 HV0.05到约4000 HV0.05)和含5 at%硅的碳层(从1400 HV0.05到约2500 HV0.05)的硬度增加。通过增加硅浓度,对100Cr6的摩擦系数(1.3505)从0.15降低到0.06,但是该层的体积磨损比纯碳层高。由于沉积为多层层,该多层层由C中100 at%C和23 at%Si的单个层组成,因此可以将低摩擦系数(0.05)与高硬度(2600 HV0.05)和低磨损相结合。这些层非常有望用作抗磨层。

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