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机译:重复分层蚀刻后通过全反射X射线荧光分析和卢瑟福背散射光谱法确定的钴注入硅晶片的浅层轮廓比较
Silicon wafers; Etching; Rutherford backscattering spectroscopy; Ion implantation; X ray spectroscopy; Cobalt; Total reflection X ray fluorescence spectrometry (TXRF); Concentration-depth profiling;
机译:重复分层蚀刻后通过全反射X射线荧光分析和卢瑟福背散射光谱法确定的钴注入硅晶片的浅层轮廓比较
机译:通过重复的平面溅射刻蚀和全反射X射线荧光分析研究了注入的硅晶片的密度-深度分布
机译:重复氧化和HF蚀刻后通过全反射X射线荧光分析对共注入硅晶片进行深度剖析
机译:离子植入的比较研究引起了光谱椭圆形测定法和Rutherford反向散射光谱法研究的多晶和单晶硅中的损伤深度曲线
机译:使用全反射X射线光谱分析气溶胶和使用EDXRF进行工业过程监控。
机译:联合评估掠入射X射线荧光和X射线反射率数据以改善超浅深度分布的轮廓
机译:Mo K.Alpha的实验评价。 GaAs晶片的X射线探测深度在全反射X射线荧光分析中。