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【2h】

Experimental Evaluation of the Mo K.ALPHA. X-Ray Probing Depth for a GaAs Wafer in a Total-Reflection X-Ray Fluorescence Analysis.

机译：Mo K.Alpha的实验评价。 GaAs晶片的X射线探测深度在全反射X射线荧光分析中。

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Kouichi TSUJI; Kazuaki WAGATSUMA; Takeo OKU;
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年度 1997
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1. Experimental Evaluation of the Mo Kα X-Ray Probing Depth for a GaAs Wafer in a Total-Reflection X-Ray Fluorescence Analysis [J] . Kouichi TSUJI, Kazuaki WAGATSUMA, Takeo OKU Analytical Sciences . 1997,第3期

机译：GaAs晶片的MoKαX射线探测深度在全反射X射线荧光分析中的实验评估
2. Depth profiling of a Co-implanted silicon wafer by total-reflection X-ray fluorescence analysis after repeated oxidation and HF-etching [J] . Klockenkamper R., von Bohlen A. Analytical Communications . 1999,第2期

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3. A new method for depth-profiling of shallow layers in silicon wafers by repeated chemical etching and total-reflection X-ray fluorescence analysis [J] . R. Klockenkamper, A. von Bohlen Spectrochimica Acta, Part B. Atomic Spectroscopy . 1999,第10期

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4. Probing Patterned Wafer Structures by Means of Grazing Incidence X-ray Fluorescence Analysis [C] . J. Osan, F. Reinhardt, B. Beckhoff, Analytical techniques for semiconductor materials and process characterization 6(ALTECH 2009) . 2009

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