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机译:DSA寿命测量和〜(120)Xe的奇偶校验带的结构
21.10.Tg Lifetimes; 21.60.Fw models based on group theory; 23.20.Lv gamma transitions and level energies; 27.60.+j 90 ≤ A ≤ 149;
机译:DSA寿命测量和〜(120)Xe的奇偶校验带的结构
机译:194Tl中手性带的DSAM寿命测量
机译:季铜2 Hggese 4 Selenide:其电子和光学性质,如来自TB-MBJ带 - 结构计算和XPS和XES测量所阐明的
机译:〜(119)Xe中的DSAM寿命测量
机译:使用非接触热激励寿命测量来评估宽带隙半导体中的电子衰减。
机译:掺有稀土元素Er3 +的碲化物玻璃70TeO2-5XO-10P2O5-10ZnO-5PbF2(X = MgBi2Ti)的正电子ni没寿命光谱法测量缺陷结构
机译:120 Xe的寿命测量
机译:寿命测量值(sup 118,120)Xe