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机译:季铜2 Hggese 4 Selenide:其电子和光学性质,如来自TB-MBJ带 - 结构计算和XPS和XES测量所阐明的
Don State Tech Univ Dept Computat Tech &
Automated Syst Software 1 Gagarin Sq Rostov Na Donu 344010 Russia;
Don State Tech Univ Dept Elect Engn &
Elect 1 Gagarin Sq Rostov Na Donu 344010 Russia;
Ton Duc Thang Univ Inst Computat Sci Div Computat Phys Ho Chi Minh City Vietnam;
Natl Acad Sci Ukraine Frantsevych Inst Problems Mat Sci 3 Krzhyshanivsky St UA-03142 Kiev Ukraine;
Lesya Ukrainka Eastern European Natl Univ Dept Inorgan &
Phys Chem 13 Voli Ave UA-43025 Lutsk Ukraine;
Don State Tech Univ Dept Elect Engn &
Elect 1 Gagarin Sq Rostov Na Donu 344010 Russia;
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机译:非中心对称LiGaSe2的电子结构和光学性质:实验测量和DFT带结构计算
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机译:压力下硒化烯烃的电子带结构和光学性质
机译:硒化铜铟镓的光学性质和电子结构:铜缺乏的影响。
机译:用第一性原理计算和实验研究掺铜的ZnO的电子结构和光学性质
机译:通过第一原理计算和实验研究的Cu-掺杂的ZnO电子结构和光学性质
机译:H11 / 2负奇偶校验带结构在exp 119 Xe,exp 121 Xe。实验与IBFa计算的比较