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机译:HfO_2,ZrO_2和SiO_2电介质的污染
机译:HfO_2,ZrO_2和SiO_2电介质的污染
机译:夹在较厚的SiO_2层之间的超薄HfO_2(ZrO_2)层增强了堆叠栅极电介质中的隧穿
机译:SiO_2,ZrO_2和HlO_2电介质对水分污染的敏感性
机译:隧道电流通过SIO_2,HFO_2,TA_2O_5,ZRO_2和DY_2O_3电介质在MOS器件中进行超大规模集成的电介质,使用第一原理计算
机译:参见关于SiO_2中陷阱俘获电子的研究统计
机译:使用低压化学气相沉积的Si3N4介电层改善介电电润湿微流体器件的介电性能
机译:高效宽带高分散HfO_2 / SiO_2多层反射镜,用于近紫外脉冲压缩
机译:电极污染的作用以及清洁和调节对高能脉冲功率器件性能的影响; IEEE电介质和电气绝缘材料特刊