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机译:SiC(0001)上的外延晶体硅氧氮化物层:理想的SiC-绝缘体界面的形成
Silicon carbide; Silicon oxynitride; New surface material; Ultrathin epitaxial film; Semiconductor/oxide interface;
机译:SiC(0001)上的外延晶体硅氧氮化物层:理想的SiC-绝缘体界面的形成
机译:在六角形SiC(0001′)表面外延形成的结晶二氧化硅单层的扫描隧道显微镜和光谱研究
机译:六方SiC(0001)表面外延形成的结晶二氧化硅单层的扫描隧道显微镜和光谱研究
机译:基于氯化物的3C-SiC外延层CVD在轴上的轴上(0001)SiC基板上
机译:基于4H-SiC N型外延层和像素Cdznte单晶装置的高分辨率辐射检测器
机译:离轴SiC(0001)上外延三层石墨烯的高电子迁移率
机译:双层准自支撑外延 - 石墨烯的台式形成 空气中微波退火对siC(0001)的影响