本文献为外文文献的中文摘要页面,您获取的文献为外文文献,点击返回原页面

您现在的位置:首页> 外文会议>2015 IEEE Magnetics Conference >文献详情

【24h】三相METGLAS / TERFENOL-D / PZT层状复合材料中的近平面自偏置磁电响应

【摘要】在这项研究中,研究了具有高磁导率Metglas 2605 S2(FeSiB)碳带,巨型磁致伸缩材料Terfenol-D和压电陶瓷PZT8的三相层压复合材料。 Terfenol-D和Metglas的磁性能差异引起的内部磁场以及Terfenol-D和Metglas之间的应力耦合效应有助于产生宽范围的直流偏置响应的自偏置ME效应。与Terfenol-D相比,Metglas具有出色的磁导率(在f = 1 kHz时为10000)和低矫顽场(Hc = 21 .03 Oe)。 Metglas和Terfenol-D形成一个磁化渐变的铁磁层,由于d33的Hdc依赖性,它导致强内部磁偏置并在零偏置时导致高动态压电系数d33。通过多普勒振动计测量磁化梯度铁磁层Terfenol-D / Metglas的动态压电系数d33在零偏压下随Metglas层L的数量的变化。已发现,与单层的Terfenol-D(L = 0)相比,Terfenol-D / Metglas在零偏压下显示出更大的d33。当L = 3时,Terfenol-D / Metglas的动态压电系数在零偏压下达到最大值(41 .9 nm / A)。

【作者】Chen L.;Li P.;Wen Y.;Zhu Y.;

【作者单位】Coll. of Optoelectron. Eng., Chongqing Univ., Chongqing, China;

【年(卷),期】2015(),

【年度】2015

【页码】1-1

【总页数】1

【原文格式】PDF

【正文语种】eng

【中图分类】

【关键词】

  • 相关文献

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号