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International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface
International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface
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1.
CHARACTERIZATION OF TUNNELING CURRENT THROUGH ULTRATHIN SILICON DIOXIDE FILMS BY DIFFERENT-METAL GATES METHOD
机译:
不同金属门法通过超薄二氧化硅膜的隧道电流表征
作者:
Naoto Yoshii
;
Tatsuya Okazaki
;
Takaaki Hirokane
;
Shinichi Urabe
;
Kazuo Nishimura
;
Satoru Morita
;
Mizuho Morita
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
2.
Characterization of Charge Trapping and Dielectric Breakdown of HfAlOx/SiON Dielectric Gate Stack
机译:
HFALOX / SION电介质栅极堆叠电荷捕获和介电击穿的表征
作者:
Y. Pei
;
S. Nagamachi
;
H. Murakami
;
S. Higashi
;
S. Miyazaki
;
T. Kawahara
;
K. Torii
;
Y. Nara
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
关键词:
HfAlOx;
Leakage Current;
Charge Trapping;
TDDB;
Soft Breakdown;
3.
NEW NBTI LIFETIME PREDICTION METHOD FOR ULTRA THIN SiO2 FILMS
机译:
用于超薄SiO2薄膜的新的NBTI寿命预测方法
作者:
K. Watanabe
;
R Kuroda
;
A. Teramoto
;
S. Sugawa
;
T. Ohmi
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
4.
THREE-DIMENSIONAL SIMULATION OF THERMAL OXIDATION AND THE INFLUENCE OF STRESS
机译:
热氧化的三维模拟及应力影响
作者:
Christian Hollauer
;
Hajdin Ceric
;
Siegfried Selberherr
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
5.
Impact of Plasma Nitridation Method on Vfb shift and the Reliability of CMOSFETs
机译:
等离子体氮化方法对CMOSFET的VFB转变的影响及其可靠性
作者:
Dong-Chan Kim
;
Mann-Ho Cho
;
Jin-Hwa Heo
;
Bon-Young Koo
;
Chul-Sung Kim
;
Young-Jin Noh
;
Ji-Hyun Kim
;
Kwun-Bum Chung
;
Yugyun Shin
;
Dae-Won Moon
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
6.
On Quasi-Saturation of Negative Bias Temperature Degradation
机译:
对负偏置温度降解的准饱和度
作者:
M. A. Alam
;
H. Kufluoglu
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
关键词:
MOSFET;
NBTI;
Reliability Theory and Modeling;
Reaction-diffusion model;
7.
CHARACTERIZATION OF MICROSTRUCTURAL AND OXIDE DAMAGE OF BREAKDOWN SPOT IN MOSFETS USING NANOANALYTICAL TECHNIQUES
机译:
纳米分析技术对MOSFET中击穿点微观结构和氧化物损伤的特征
作者:
Kin Leong Pey
;
Chih Hang Tung
;
Leijun Tang
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
8.
A Study of Negative Bias Temperature Instability (NBTI) in pFETs
机译:
PFET中负偏置温度不稳定性(NBTI)的研究
作者:
Sufi Zafar
;
James Stathis
;
Allesandro Callegari
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
9.
Improvement in Characteristics of Thin Film Transistors by High Pressure Steam Annealing
机译:
高压蒸汽退火的薄膜晶体管特性改进
作者:
N. Yamamoto
;
T. Watanabe
;
M. Masaki
;
A. Yoshinouchi
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
10.
THERMAL STABILITY OF LANTHANUM OXIDE/Si(100) INTERFACIAL TRANSITION LAYER
机译:
氧化镧/ Si(100)界面过渡层的热稳定性
作者:
H. Nohira
;
T. Yoshida
;
H. Okamoto
;
W. Sakai
;
K. Nakajima
;
M. Suzuki
;
K. Kimura
;
Ng Jin Aun
;
Y. Kobayashi
;
S. Ohmi
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
11.
QUANTITATIVE ANALYSIS OF REACTION OF HYDROGEN-TERMINATED Si(100) WITH OXYGEN DURING HEATING
机译:
加热过程中氧气封端Si(100)反应的定量分析
作者:
Shinichi Urabe
;
Kazuo Nishimura
;
Syuhei Nishikawa
;
Satoru Morita
;
Mizuho Morita
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
12.
Gate dielectrics for advanced semiconductor devices: thermally-grown SiO2 - a very difficult act to follow
机译:
高级半导体器件的栅极电介质:热生长的SiO2 - 一种非常困难的行为
作者:
Gerald Lucovsky
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
13.
Novel Fabrication Process to Realize Ultra-Thin (EOT = 0.7 nm) and Ultra-Low-Leakage SiON Gate Dielectrics
机译:
实现超薄(EOT = 0.7nm)和超低漏电SiON电介质的新型制造工艺
作者:
K. Muraoka
;
D. Matsushita
;
K. Kato
;
Y. Nakasaki
;
S. Inumiya
;
K. Eguchi
;
M. Takayanagi
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
14.
High Resolution X-ray Photoelectron Spectroscopy Study on Si3 Interface Structures and its Correlation with Hysteresis in C-V Curves
机译:
Si3接口结构高分辨率X射线光电子能谱研究及其与C-V曲线滞后的相关性
作者:
M. Higuchi
;
A. Teramoto
;
M. Komura
;
S. Shinagawa
;
E. Ikenaga
;
H. Nohira
;
K. Kobayashi
;
T. Hattori
;
S. Sugawa
;
T. Ohmi
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
15.
Stress Modulation of PECVD Silicon Nitride
机译:
PECVD氮化硅的应激调节
作者:
M. Balseanu
;
LQ. Xia
;
V. Zubkov
;
M. Le
;
J. Lee
;
H. MSaad
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
16.
Progressive breakdown in ultra-thin gate oxynitrides
机译:
超薄栅氧氮化物中的渐进分解
作者:
Felix Palumbo
;
Giovanni Condorelli
;
Salvatore Lombardo
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
17.
New features on the SILC in MOSFET's with ultrathin oxides
机译:
用超薄氧化物的MOSFET中SILC上的新功能
作者:
D. Bauza
;
G. Ghibaudo
;
F. Lime
;
F. Rahmoune
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
18.
ON THE EFFECTS OF CARRIER TUNNELING ON THE CAPACITANCE-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF ULTRATHIN-OXIDE MOSFETs
机译:
载波隧穿对超薄氧化物MOSFET电容电压特性的影响
作者:
M. Y. C. Shen
;
J. Jopling
;
H. Z. Massoud
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
19.
Ordered Structure in the Thermal Oxide Layer on Silicon Substrates
机译:
硅基板上的热氧化物层中的有序结构
作者:
T. Shimura
;
E. Mishima
;
H. Watanabe
;
K. Yasutake
;
M. Umeno
;
K. Tatsumura
;
T. Watanabe
;
I. Ohdomari
;
K. Yamada
;
S. Kamiyama
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
20.
Morphological Change in Surface and Interface during Ultrathin SiO2 Film Growth
机译:
超薄SiO2薄膜生长过程中表面与界面的形态变化
作者:
Ryu Hasunuma
;
Junichi Okamoto
;
Norio Tokuda
;
Kikuo Yamabe
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
21.
PHOTODETECTION CHARACTERISTICS OF SnO{sub}2-ULTRATHIN SiO{sub}2-Si STRUCTURES
机译:
SnO {Sub} 2-Ulthathin SiO {Sub} 2-Si结构的光电检测特性
作者:
Motonori Chikamoto
;
Hideaki Hashimoto
;
Kosuke Horikoshi
;
Akihito Shinozaki
;
Satoru Morita
;
Kenta Arima
;
Junichi Uchikoshi
;
Mizuho Morita
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
22.
ANNEALING EFFECT ON RELIABILTY OF SiO2 FOR DEUTERIUM IMPLANTED SILICON
机译:
退火对SiO2可靠性对氘植入硅的影响
作者:
T. Kundu
;
D. Misra
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
23.
Prospect of High-k/Metal Gate Stack Technology for Future CMOS Devices
机译:
未来CMOS设备的高k /金属栅极堆栈技术的前景
作者:
Byoung Hun Lee
;
Paul Kirsch
;
Prashant Majhi
;
Seungchul Song
;
Rino Choi
;
Nairn Moumen
;
Gennadi Bersuker
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
24.
FOCUSED ELECTRON BEAM INDUCED DEPOSITION OF SILICON DIOXIDE
机译:
聚焦电子束诱导二氧化硅沉积
作者:
H.D. Wanzenboeck
;
M. Fischer
;
J. Gottsbachner
;
S. Mueller
;
W. Brezna
;
M. Schramboeck
;
E. Bertagnolli
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
25.
PHOTODETECTION CHARACTERISTICS OF SnO2-ULTRATHIN SiO2-Si STRUCTURES
机译:
SnO2超SiO2-Si结构的光电检测特性
作者:
Motonori Chikamoto
;
Hideaki Hashimoto
;
Kosuke Horikoshi
;
Akihito Shinozaki
;
Satoru Morita
;
Kenta Arima
;
Junichi Uchikoshi
;
Mizuho Morita
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
26.
THE INFLUENCE OF COMPLIMENTARY CONTAMINATION ON OXIDE INTEGRITY
机译:
互补污染对氧化物完整性的影响
作者:
John J. Naughton
;
Janet M. Towner
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
27.
ROLES OF PREDOMINANT AND SUBORDINATE CARRIERS IN BREAKDOWN MECHANISM OF HIGH-K GATE DIELECTRICS STUDIED WITH HfAlOx/Si02 STACKS
机译:
用HFALOX / SIO2堆叠研究高k栅极电介质击穿机制的主要和从属载波的作用
作者:
Kenji Okada
;
Hiroyuki Ota
;
Arito Ogawa
;
Wataru Mizubayashi
;
Tsuyoshi Horikawa
;
Hideki Satake
;
ToshihideNabatame
;
AkiraToriumi
会议名称:
《International Symposium on the Physics and Chemistry of SiOb2s and the Si-SiOb2s Interface》
|
2005年
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