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IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
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条结果
1.
A novel, high resolution, non-contact channel temperature measurement technique
机译:
一种新型,高分辨率,非接触通道温度测量技术
作者:
Kim Q.
;
Stark B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
2.
Extended data retention process technology for highly reliable flash EEPROMs of 10/sup 6/ to 10/sup 7/ W/E cycles
机译:
扩展数据保留过程技术,用于10 / SUP 6 /至10 / SUP 7 / W / E循环的高度可靠闪光EEPOM
作者:
Arai F.
;
Maruyama T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
3.
Nanoscale electrical characterization of thin oxides with conducting atomic force microscopy
机译:
导电原子力显微镜的纳米级电学表征薄氧化物
作者:
Olbrich A.
;
Ebersberger B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
4.
A comparative study of leakage mechanism of Co and Ni salicide processes
机译:
CO和Ni Salicide过程泄漏机制的比较研究
作者:
Goto K.-I.
;
Watanabe J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
5.
Assessing circuit-level hot-carrier reliability
机译:
评估电路级热载波可靠性
作者:
Jiang W.
;
Le H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
6.
Channel coupling imposed tradeoffs on hot carrier degradation and single transistor latch-up in SOI MOSFETs
机译:
在SOI MOSFET中的热载体降低和单晶电机锁定上的频道耦合强加的权衡
作者:
Duan F.L.
;
Ioannou D.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
7.
Improvement of gate dielectric reliability for p/sup +/ poly MOS devices using remote PECVD top nitride deposition on thin gate oxides
机译:
使用远程PECVD顶部氮化物沉积在薄栅极氧化物上的P / SUP + / POTO MOS器件的栅极介质可靠性提高
作者:
Wu Y.
;
Lucovsky G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
8.
Reduction of plasma-induced gate oxide damage using low-energy large-mass ion bombardment in gate-metal sputtering deposition
机译:
在栅极 - 金属溅射沉积中使用低能量大型离子轰击降低等离子体诱导的栅极氧化物损伤
作者:
Ushiki T.
;
Yu M.-C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
9.
Effects of halo implant on hot carrier reliability of sub-quarter micron MOSFETs
机译:
光环植入对亚季度微米MOSFET热载体可靠性的影响
作者:
Das A.
;
De H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
10.
High current effects in silicide films for sub-0.25 /spl mu/m VLSI technologies
机译:
用于子0.25 / SPL MU / M VLSI技术的硅化物膜的高电流效应
作者:
Banerjee K.
;
Hu C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
11.
Disturbed bonding states in SiO/sub 2/ thin-films and their impact on time-dependent dielectric breakdown
机译:
SiO / Sub 2 /薄膜中的粘接状态干扰状态及其对时间依赖介电击穿的影响
作者:
McPherson J.W.
;
Mogul H.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
12.
Effect of VLSI interconnect layout on electromigration performance
机译:
VLSI互连布局对电迁移性能的影响
作者:
Atakov E.M.
;
Sriram T.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
13.
Full-chip reliability analysis
机译:
全芯片可靠性分析
作者:
Rochel S.
;
Steele G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
14.
High-current transmission line pulse characterization of aluminum and copper interconnects for advanced CMOS semiconductor technologies
机译:
高电流传输线脉冲表征高级CMOS半导体技术的铝和铜互连
作者:
Voldman S.
;
Gauthier R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
15.
Early variations of the base current in In/C-doped GaInP-GaAs HBTs
机译:
在/ C掺杂GainP-GaAs Hbts中的基本电流的早期变化
作者:
Borgarino M.
;
Plana R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
16.
Hot electron degradation and unclamped inductive switching in submicron 60-V lateral DMOS
机译:
亚微米的热电子劣化和亚微米60V侧面DMOS中的无扫描电感切换
作者:
Shekar M.S.
;
Williams R.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
17.
Enhanced dielectric breakdown lifetime of the copper/silicon nitride/silicon dioxide structure
机译:
增强铜/氮化硅/二氧化硅结构的介电击穿寿命
作者:
Takeda K.-I.
;
Hinode K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
18.
REDR-based kinetics for line defects leading to sudden failures in 980 nm SL SQW InGaAs laser diodes
机译:
基于Redr的线缺陷动力学导致980 NM SL SQW InGaAs激光二极管突然失败
作者:
Bonfiglio A.
;
Casu M.B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
19.
The reliability challenge: New materials in the new millennium. Moore's Law drives a discontinuity
机译:
可靠性挑战:新材料在新千年。摩尔定律驱使不连续性
作者:
England J.S.
;
England R.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
20.
Critical parameters for reliable surface mounting of high pincount packages
机译:
高销封装可靠表面安装的关键参数
作者:
Euzent B.L.
;
Kawanami B.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
21.
Stress-induced voiding in stacked tungsten via structure
机译:
通过结构堆叠钨中的压力诱导的空隙
作者:
Domae S.
;
Masuda H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
22.
Voltage scaling and temperature effects on drain leakage current degradation in a hot carrier stressed n-MOSFET
机译:
电压缩放和温度效应在热载波中的漏极漏电流降解应力N-MOSFET
作者:
Wang T.
;
Hsu C.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
23.
Chip scale package (CSP) solder joint reliability and modeling
机译:
芯片秤包(CSP)焊接联合可靠性和建模
作者:
Amagai M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
24.
The correlation of highly accelerated Q/sub bd/ tests to TDDB life tests for ultra-thin gate oxides
机译:
高加速Q / Sub BD /测试对超薄栅极氧化物的TDDB寿命测试的相关性
作者:
Chen Y.
;
Suehle J.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
25.
Lifetime estimates and unique failure mechanisms of the Digital Micromirror Device (DMD)
机译:
终身估计和数字微镜设备(DMD)的独特故障机制
作者:
Douglass M.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
26.
Dynamics of backside wafer level microprobing
机译:
背面晶圆级微张化的动态
作者:
Chiang C.-L.
;
Hurley D.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
27.
Impact of screening of latent defects at electrical test on the yield-reliability relation and application to burn-in elimination
机译:
筛选潜在缺陷对电气试验的影响及燃烧消除
作者:
Van der Pol J.A.
;
Ooms E.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
28.
Cross-sectional atomic force microscopy of focused ion beam milled devices
机译:
聚焦离子束铣削装置的横截面原子力显微镜显微镜
作者:
Ebel J.
;
Bozada C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
29.
Characterization of plasma charging damage in ultrathin gate oxides
机译:
超薄栅极氧化物中等离子体充电损伤的表征
作者:
Lin H.-C.
;
Wang M.-F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
30.
The evolution of hydrogen from plastic molding compound and it's effect on the yield and reliability of ferroelectric memories
机译:
塑料成型化合物氢的演变及其对铁电存储器产量和可靠性的影响
作者:
Philofsky E.M.
;
Ostrander C.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
31.
Constant current charge-to-breakdown: Still a valid tool to study the reliability of MOS structures?
机译:
恒定电流充电到静置:仍然是研究MOS结构可靠性的有效工具?
作者:
Nigam T.
;
Degraeve R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
32.
A study of ESD-induced latent damage in CMOS integrated circuits
机译:
CMOS集成电路ESD引起的潜伏损伤研究
作者:
Huh Y.
;
Lee M.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
33.
Antenna protection strategy for ultra-thin gate MOSFETs
机译:
超薄栅极MOSFET的天线保护策略
作者:
Krishnan S.
;
Amerasekera A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
34.
The effect of frequency on the lifetime of a surface micromachined microengine driving a load
机译:
频率对表面微机械微发炎驾驶负荷的寿命的影响
作者:
Tanner D.M.
;
Miller W.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
35.
A reliability study of titanium silicide lines using micro-Raman spectroscopy and emission microscopy
机译:
使用微拉曼光谱和发射显微镜的硅化钛系的可靠性研究
作者:
De Wolf I.
;
Howard D.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
36.
A new failure mechanism by corrosion of tungsten in a tungsten plug process
机译:
钨插头过程中钨腐蚀的新失效机制
作者:
Bothra S.
;
Sur H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
37.
Trap assisted tunneling as a mechanism of degradation and noise in 2-5 nm oxides
机译:
陷阱辅助隧道作为2-5nm氧化物中的降解和噪声的机制
作者:
Alers G.B.
;
Weir B.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
38.
Cu damascene interconnects with crystallographic texture control and its electromigration performance
机译:
Cu大型镶嵌互连与晶体纹理控制及其电迁移性能
作者:
Abe K.
;
Harada Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
39.
Backside localization of open and shorted IC interconnections
机译:
开放和短路IC互连的背面定位
作者:
Cole E.I. Jr.
;
Tangyunyong P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
40.
Effects of advanced processes on hot carrier reliability
机译:
先进过程对热载波可靠性的影响
作者:
Aur S.
;
Grider T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
41.
Statistics of microstructure for via metallization and implication for electromigration reliability
机译:
通过金属化和电迁移可靠性含义微观结构的统计
作者:
Toyoda H.
;
Wang P.-H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
42.
In-situ monitoring of bond degradation in power ICs under high current stress
机译:
高电流应力下功率IC中债券降解的原位监测
作者:
Krabbenborg B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
43.
A new algorithm for transforming exponential current ramp breakdown distributions into constant current TDDB space, and the implications for gate oxide Q/sub BD/ measurement methods
机译:
一种新算法,用于将指数电流斜坡故障分布转换为恒定电流TDDB空间,以及栅极氧化物Q /亚BD /测量方法的影响
作者:
Dumin N.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
44.
Degradation of InGaAs-InP heterojunction bipolar transistors under high energy electron irradiation
机译:
高能电子照射下InGaAs-InP异质结双极晶体管的降解
作者:
Bandyopadhyay A.
;
Subramanian S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
45.
Effect of H/sub 2/O partial pressure and temperature during Ti sputtering on texture and electromigration in AlSiCu-Ti-TiN-Ti metallization
机译:
H / SUB 2 / O部分压力和温度在TI溅射期间的效应和电迁移在ALSICU-TI-TIN-TI金属化中的影响
作者:
Yoshida T.
;
Hashimoto S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
46.
Degradation of single-quantum well InGaN green light emitting diodes under high electrical stress
机译:
高电应力下单量子井InGaN绿色发光二极管的降解
作者:
Barton D.L.
;
Osinski M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
47.
Dislocation dynamics in heterojunction bipolar transistor under current induced thermal stress
机译:
异质结双极晶体管在电流诱导热应力下的错位动力学
作者:
Tsai C.-T.
;
Liou L.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
48.
Hot-carrier degradation mechanism and promising device design of nMOSFETs with nitride sidewall spacer
机译:
氮化物侧壁间隔件NMOSFET的热载体降解机理和有前途的装置设计
作者:
Sambonsugi Y.
;
Sugii T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
49.
Comparison of hot-carrier effects in deep submicron N- and P-channel partially- and fully-depleted Unibond and SIMOX MOSFETs
机译:
深度亚微米和P沟道中的热载波效应的比较部分 - 且全耗尽的Unibond和Simox MOSFET
作者:
Renn S.H.
;
Raynaud C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
50.
Thermal resistance degradation of alloy die attached power devices during thermal cycling
机译:
热循环期间合金模具的热阻劣化
作者:
Naderman J.
;
Ragay F.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
51.
Influences of fan-in/fan-out structure and underfill fillet on TCT reliability of flip chip BGA
机译:
扇形/扇出结构和底部填充圆角对倒装芯片BGA的TCT可靠性的影响
作者:
Shimoe H.
;
Iijima T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
52.
Elimination of bond-pad damage through structural reinforcement of intermetal dielectrics
机译:
通过成金属电介质的结构增强消除粘接焊盘损坏
作者:
Saran M.
;
Cox R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
53.
Method for equivalent acceleration of JEDEC/IPC moisture sensitivity levels
机译:
JEDEC / IPC湿度敏感水平等效加速度的方法
作者:
Shook R.L.
;
Vaccaro B.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
54.
Deep-trap SILC (stress induced leakage current) model for nominal and weak oxides
机译:
用于标称和弱氧化物的深阱硅胶(应力诱导漏电流)模型
作者:
Kamohara S.
;
Park D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
55.
Latchup in CMOS technology
机译:
在CMOS技术中的闩锁
作者:
Hargrove M.J.
;
Voldman S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
56.
High-resolution current and temperature mapping of electronic devices using scanning Joule expansion microscopy
机译:
使用扫描焦耳膨胀显微镜的电子设备的高分辨率电流和温度映射
作者:
Varesi J.
;
Muenster S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
57.
Ti layer thickness dependence on electromigration performance of Ti-AlCu metallization
机译:
Ti层厚度依赖于Ti-Alcu金属化的电迁移性能
作者:
Hosaka M.
;
Kouno T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
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1998年
58.
Switching behavior of the soft breakdown conduction characteristic in ultra-thin (5 nm) oxide MOS capacitors
机译:
超薄(> 5nm)氧化物MOS电容器软击穿传导特性的切换行为
作者:
Miranda E.
;
Sune J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
59.
Failure modes in surface micromachined microelectromechanical actuators
机译:
表面微机电致动器中的故障模式
作者:
Miller S.L.
;
Rodgers M.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings》
|
1998年
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