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International conference on defects in semiconductors
International conference on defects in semiconductors
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1.
Characterization of major in-grown stacking faults in 4H-SiC epilayers
机译:
4H-SIC脱落器中主要种植堆叠故障的特征
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
micro-photoluminescence mapping;
stacking faults;
stacking sequence;
2.
Electron spin resonance of light holes in porous silicon
机译:
多孔硅中光孔的电子自旋共振
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
porous silicon;
ESR;
free holes;
annealing;
3.
Role of the surface in the electrical and optical properties of GaN
机译:
表面在GaN的电气和光学性质中的作用
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
GaN;
photovoltage;
surface states;
photoluminescense;
photoadsorption;
4.
An investigation of structural properties of GaN films grown on patterned sapphire substrates by MOVPE
机译:
MOVPE型蓝宝石底板上的GaN薄膜结构性质研究
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
MOCVD;
nitrides;
semiconducting III-V materials;
5.
Photosensitivity of ZnO/CuIn_3Se_5 heterostructures at γ-radiation
机译:
γ-辐射ZnO / Cuin_3Se_5异质结构的光敏性
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
multinary diamond-like semiconductors;
photoconverters;
irradiation;
radiation resistance;
6.
Mechanisms of changes of hole concentration in Al-doped 6H-SiC by electron irradiation and annealing
机译:
通过电子照射和退火的Al-掺杂6H-SiC中孔浓度变化的机制
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
Al-doped 6H-SiC;
electron irradiation;
radiation damage;
annealing;
7.
Analysis of photoluminescence spectra for detection of stress-induced defects in silicon substrates after the polycrystalline diamond film deposition
机译:
多晶金刚石膜沉积后硅基板中应力诱导缺陷检测光致发光光谱分析
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
photoluminescence;
adhesion;
dislocation;
silicon/diamond interface;
8.
Electron paramagnetic resonance spectroscopy of lithium donors in monoisotopic silicon
机译:
单异岩硅锂供体的电子顺磁共振光谱
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
magnetic resonance;
monoisotopic silicon;
shallow donors;
9.
Self-interstitials and related defects in irradiated silicon
机译:
辐照硅中的自血栓间和相关缺陷
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
silicon;
self-interstitial;
injection annealing;
irradiation;
10.
Long-term room-temperature relaxation of the defects induced in (Hg,Cd)Te by low-energy ions
机译:
低能量离子(Hg,Cd)Te诱导缺陷的长期室温松弛
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
(HgCd)Te;
low-energy ion treatment;
defects;
11.
EPR identification of intrinsic and transition metal-related defects in ZnGeP_2 and other II-IV-V_2 compounds
机译:
EPR识别ZnGEP_2和其他II-IV-V_2化合物中的内在和过渡金属相关缺陷
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
compound semiconductor;
native defects;
transition metals;
magnetic resonance;
12.
Stable In-defect complexes in GaN and A1N
机译:
GaN和A1N的稳定缺陷复合物
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
AlN;
PAC;
nitrides;
radiative centers;
13.
Reduced photoluminescence from InGaN/GaN multiple quantum well structures following 40 Mev iodine ion irradiation
机译:
从40mEV碘离子照射后从IngaN / GaN多量子阱结构中降低光致发光
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
InGaN;
high-energy ion irradiation;
defects;
optoelectronic devices;
photoluminescence;
ion beam analysis;
14.
Intrinsic and defect-related luminescence of NiO
机译:
NIO的内在和缺陷相关的发光
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
oxygen defect;
photo-induced effect;
transition metal oxide;
15.
Deep level defects in proton irradiated p-type Al_(0.5)Ga_(0.5)As
机译:
质子辐照的P型AL_(0.5)GA_(0.5)的深度缺陷
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
proton irradiation;
AlGaAs;
deep levels;
DLTS;
16.
The structure, photoluminescence, optical and magnetic properties of ZnO films doped with ferromagnetic impurities
机译:
ZnO膜的结构,光致发光,光学和磁性掺杂配铁磁杂质
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
sol-gel process;
EPR;
photoluminescence;
zinc oxide;
17.
Hydrogen in ZnO
机译:
ZnO的氢气
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
ZnO;
hydrogen;
donor;
molecule;
18.
Strange lifetimes of the vibrations of interstitial oxygen in SiGe alloys
机译:
SiGe合金中间质氧振动的奇怪寿命
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
local-mode vibrations;
lifetimes;
oxygen;
Si;
SiGe;
Ge;
19.
Point defects in ZnO: Electron paramagnetic resonance study
机译:
点缺陷在ZnO:电子顺磁共振研究
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
ZnO;
point defects;
electron paramagnetic resonance;
20.
High temperature antistructure disorder in undoped ZnS
机译:
未掺杂的Zns中的高温压力系统障碍
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
zinc sulphide;
defects;
electrical conductivity;
21.
Positron probing of gamma-irradiated Ge doped with P, As, Sb, and Bi: Changes in atomic structures of defects due to n→p conversion
机译:
γ辐照的GE掺杂P的正电子探测P,AS,Sb和Bi:由于N→P转换导致的缺陷原子结构的变化
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
germanium;
positron annihilation;
radiation-produced defects;
22.
Influence of the thermal annealing temperature of the channel layers grown at room temperature on the device performance in the ZnO thin-film-transistors
机译:
在室温下生长的通道层的热退火温度对ZnO薄膜晶体管的装置性能
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
ZnO thin-film-transistors;
sputtering;
post-annealing;
23.
Two channels of non-radiative recombination in InGaN/GaN LEDs
机译:
Ingan / GaN LED中的两个非辐射重组通道
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
point defects;
extended defect systems;
24.
Deep level transient spectroscopy signatures of majority traps in GaN p-n diodes grown by metal-organic vapor-phase epitaxy technique on GaN substrates
机译:
GaN基材金属 - 有机气相外延技术GaN P-n二极管大多数陷阱的深层瞬态光谱特征
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
GaN;
p-n GaN diodes;
DLTS;
25.
Lattice dislocation in Si nanowires
机译:
在是纳米线的晶格错位
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
lattice dislocation;
Si nanowire;
specific heat;
lattice thermal expansion;
26.
Raman lasers due to scattering on donor electronic resonances in silicon
机译:
由于硅的施主电子共振散射,拉曼激光器
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
silicon laser;
raman laser;
terahertz;
27.
Electron spin resonance of palladium-related defect in silicon
机译:
硅的钯相关缺陷的电子自旋共振
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
palladium;
hydrogen;
silicon;
defect structure;
electron spin resonance;
28.
On quantum efficiency of photoluminescence in ZnO layers and nanostructures
机译:
ZnO层和纳米结构光致发光量子效率
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
ZnO;
quantum wells;
quantum efficiency;
photoluminescence;
29.
Influence of the defect density (twins boundaries) on electrical parameters of 3C-SiC epitaxial films
机译:
缺陷密度(孪枝边界)对3C-SiC外延薄膜电参数的影响
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
3C-SiC;
twins;
mobility;
magnetoresistance;
x-ray;
30.
Structural distortions induced during stress relaxation affecting electrical transport of nanometer-thick La_(0.67)(Ba,Ca)_(0.33)MnO_3 films
机译:
应力松弛期间诱导的结构扭曲影响纳米厚LA_(0.67)(Ba,Ca)_(0.33)MnO_3膜的电气传输
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
interface;
heterostructure;
mechanical stress;
distortion of stoichiometry;
31.
Magnetic resonance spectroscopy of single centers in silicon quantum wells
机译:
硅量子孔中单中心的磁共振光谱
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
single centers;
carbon;
ODMR;
quantum well;
silicon microcavity;
32.
Defect-related photoluminescence in Mg-doped GaN nanostructures
机译:
Mg掺杂GaN纳米结构中缺陷相关的光致发光
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
GaN;
nanostructures;
photoluminescence;
33.
Effects of group-V impurities on the elastic properties of silicon
机译:
v杂质对硅弹性性能的影响
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
silicon;
strain;
strain relaxation;
impurities;
perturbed angular correlation;
34.
Positron states and annihilation in nanometric semiconducting superlattices
机译:
正电子状态和纳米半导体超晶格中的湮灭
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
nanostructures;
semiconductors;
superlattices;
positron annihilation;
35.
High-resolution spectroscopy and time-resolved study of electroluminescence of Er-1 center in silicon
机译:
硅中ER-1中心电致发光的高分辨率光谱和时间分辨研究
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
erbium-doped silicon;
electroluminescence;
36.
Defects in A1N: High-frequency EPR and ENDOR studies
机译:
A1N中的缺陷:高频EPR和内登研究
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
defect;
EPR;
ESE;
ENDOR;
AlN;
donor;
negative U;
37.
Exchange coupled pairs of dangling bond spins as a new type of paramagnetic defects in nanodiamonds
机译:
将悬空债券的交换耦合对作为纳米金刚石的新型顺磁缺陷
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
nanodiamonds;
paramagnetic defects;
exchange coupled spins;
low temperatures;
EPR;
38.
Vanadium-induced deep impurity level in Pb-(1-x)Sn_xTe
机译:
钒诱导的pb-(1-x)sn_xte中的深度杂质水平
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
deep level;
galvanomagnetic effects;
magnetic impurities;
persistent photoconductivityc;
39.
Alloy and lattice disorder in Hf implanted Al_xGa_(1-x)N (0≤x≤ 1)
机译:
HF植入AL_XGA_(1-x)n(0≤x≤1)的合金和晶格障碍
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
PAC;
AlGaN;
alloy disorder;
hafnium;
40.
Diffusion Al from implanted SiC layer
机译:
来自植入SiC层的扩散Al
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
silicon carbide;
al implantation;
rapid thermal annealing;
segregation-diffusion model;
41.
Far-action radiation defects and gettering effects in 6H-SiC irradiated with Bi ions
机译:
6H-SiC中的远动辐射缺陷和吸收效果用Bi离子照射
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
SiC;
radiation defects;
far-action;
cathodoluminescence;
42.
Comparative mid- and far-infrared spectroscopy of nitrogen-oxygen complexes in silicon
机译:
硅中氮气复合物的比较中和红外光谱
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
czochralski silicon;
nitrogen-oxygen complexes;
shallow donors;
infrared spectroscopy;
43.
Iron diffusion in silicon under external stress
机译:
外部应力下硅的铁扩散
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
external stress;
Si;
diffusion;
iron impurity;
44.
Thermal annealing behaviour of deep levels in as-grown p-type MOCVD GaAs
机译:
生长P型MOCVD GaAs中深度水平的热退火行为
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
deep levels;
annealing;
group III-V;
DLTS;
MOCVD;
defects;
45.
Structural peculiarities and photoluminescence of ZnGa_2Se_4 compound
机译:
Znga_2se_4化合物的结构特性和光致发光
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
crystal structure;
photoluminescence;
europium;
manganese;
46.
Dislocation photoluminescence in plastically deformed germanium
机译:
位于塑性变形锗中的光致发光
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
germanium;
dislocations;
point defects;
photoluminescence;
47.
Capacitance investigation of Ge nanoclusters on a silicon (001) surface grown by MBE at low temperatures
机译:
MBE在低温下硅(001)表面上GE纳米能器的电容研究
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
quantum dots;
MBE;
CV;
DLTS;
48.
Electrically detected magnetic resonance of phosphorous due to spin dependent recombination with triplet centers in γ-irradiated silicon
机译:
由于γ-辐照硅中的三重态中心旋转依赖性重组,电检测磷的磁共振
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
silicon;
radiation defects;
electrically detected magnetic resonance;
49.
Point defects generated by oxidation of silicon crystal surface
机译:
硅晶体表面氧化产生的点缺陷
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
silicon;
oxidation;
vacancy;
hydrogen;
50.
Native point defects in ZnS films
机译:
ZNS电影中的本机点缺陷
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
zinc sulfide films;
point defects;
photoluminescence;
quasi-chemical formalism;
51.
Formation of Frenkel pairs and diffusion of self-interstitial in Si under normal and hydrostatic pressure: Quantumchemical simulation
机译:
正常和静水压力下Si形成弗雷克尔对和自口腔扩散的影响:量子化学模拟
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
silicon;
self-interstitial;
diffusivity;
pressure;
52.
Capacitance spectroscopy of CdTe self-assembled quantum dots embedded in ZnTe matrix
机译:
ZnTe矩阵中嵌入CDTE自组装量子点的电容光谱
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
DLTS;
quantum dots;
CdTe;
ZnTe;
53.
Trivacancy-oxygen complex in silicon: Local vibrational mode characterization
机译:
硅中的琐碎 - 氧气复合物:局部振动模式表征
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
silicon;
infra-red absorption;
radiation damage;
oxygen;
54.
Study of alloy disorder in (Hg,Cd)Te with the use of infrared photoluminescence
机译:
用红外光致发光使用(HG,CD)Te的合金障碍研究
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
(Hg,Cd)Te;
photoluminescence;
compositional fluctuations;
55.
Optical properties of Si/Si :Er multi-nanolayer structures grown by SMBE method
机译:
Si / Si的光学性质:SMBE方法生长的多纳米结构
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
optical gain;
Si:Er multi-nanolayers;
rare-earth-doped semiconductor;
Two-color spectroscopy;
56.
Characterization of defects in undoped non c-plane and high resistance GaN layers dominated by stacking faults
机译:
堆叠故障主导的未掺杂非C面和高阻GaN层中缺陷的表征
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
a-Plane GaN;
deep defects;
TSC;
photocurrent;
photoluminescence;
57.
The investigation of the structural and electrophysical properties of carbon nanotubes with controlled dopant and defect composition
机译:
碳纳米管与受控掺杂剂和缺陷组合物的结构和电神法性能研究
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
carbon nanotubes;
structural properties;
electrical properties;
58.
The electronic properties of the interface structure between ZnO and amorphous HfO_2
机译:
ZnO与无定形HFO_2之间的界面结构的电子特性
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
interface;
ZnO;
HfO_2;
O-vacancy;
first-principles calculations;
59.
Relation between photocurrent and DLTS signals observed for quantum dot systems
机译:
对于量子点系统观察到光电流与DLT信号之间的关系
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
60.
Defect-level pinning and shallow states of the muonium isotope of hydrogen
机译:
氢气同位素的缺陷级钉扎和浅状态
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
muonium;
hydrogen;
defect energies;
61.
Boron-hydrogen complexes in diamond: Energy levels and metastable states
机译:
金刚石中的硼 - 氢气复合物:能量水平和亚稳态
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
diamond;
n-type doping;
electronic states;
hydrogen;
62.
Muonium as a probe of electron spin polarisation in CdTe
机译:
muonium作为CDTE中电子自旋极化的探头
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
muonium;
II-VI semiconductors;
electron spin polarisation;
63.
Dependence of mobility on shallow localized gap states in single-crystal organic field-effect-transistors
机译:
流动性在单晶有机场效应晶体管中浅局部间隙状态的依赖性
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
mobility;
transistor;
crystal;
organic;
defect;
64.
On the oxygen vacancy in Co-doped ZnO thin films
机译:
关于共掺杂ZnO薄膜的氧气空位
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
ZnO;
defects;
oxygen vacancy;
DLTS;
65.
Quantum cascade laser design based on impurity-band transitions of donors in Si/GeSi(111) heterostructures
机译:
基于Si / Gesi(111)异质结构的供体杂质频带转变的量子级联激光设计
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
quantum cascade lasers;
impurity resonant states;
terahertz;
66.
On diffusion of Cu in ZnO
机译:
在ZnO中Cu的扩散
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
ZnO;
Cu;
diffusion;
IR absorption;
67.
Surface and bulk passivation of A_3B_5 layers by isovalent dopant diffusion from a localized source
机译:
通过来自局部源的不均法掺杂剂扩散的A_3B_5层的表面和散装钝化
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
InGaAs;
GaAs;
isovalent doping;
passivation;
photoluminescence;
68.
Interstitial-related defect reactions in electron-irradiated oxygen-rich Ge crystals: A DLTS study
机译:
电子辐照富含富含氧气晶体中的间隙相关的缺陷反应:DLTS研究
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
germanium;
self-interstitials;
energy levels;
DLTS;
69.
Boron non-uniform precipitation in Si at the Ostwald ripening stage
机译:
在OSTWALD成熟阶段的SI中硼不均匀沉淀
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
silicon;
boron;
precipitate;
ostwald ripening;
70.
EDEPR of impurity centers embedded in silicon microcavities
机译:
嵌入硅片微腔中的杂质中心的EDEPR
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
silicon microcavity;
Quantum well;
EPR;
bound exciton;
tTrigonal centers;
71.
X-ray diffraction on precipitates in Czochralski-grown silicon
机译:
Czochralski-生长硅中沉淀物的X射线衍射
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
silicon;
x-ray diffraction;
precipitates;
72.
Electrical and electrothermal transport in InN: The roles of defects
机译:
Inn中的电热和电热运输:缺陷的角色
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
indium nitride;
thermopower;
transport;
dislocation scattering;
73.
Charge transfer through localized defect states with no change in on-site total spin and population
机译:
通过本地化缺陷状态的收费转移,没有变化的现场总旋转和人口
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
deep-level defect;
spin correlation;
tunneling;
Two-electron state;
74.
First-principles material design and perspective on semiconductor spintronics materials
机译:
半导体闪奖材料材料的第一原理材料设计与透视
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
semiconductor spintronics;
magnetic semiconductor;
first-principles calculation;
ferromagnetism;
75.
Grown-in defects in heavily phosphorus-doped Czochralski silicon
机译:
在磷掺杂的Czochralski硅中的成长缺陷
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
oxygen precipitates;
heavily phosphorus doping;
czochralski silicon;
grown-in dislocations;
76.
Optical quenching of photoconductivity in Al_xGa_(1-x)N epilayers
机译:
AL_XGA_(1-x)n脱蛋白的光电导性的光学猝灭
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
AlGaN;
defects;
photoconductivity;
77.
The features of electro-optical memory effect for 1.54μm electroluminescence of an Er doped Si diode
机译:
ER掺杂Si二极管的1.54μm电致发光的电光记忆效应的特征
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
Si;
Er;
electroluminescence;
78.
Silicon nanoclusters formation in silicon dioxide by high power density electron beam
机译:
通过高功率密度电子束在二氧化硅中形成硅纳米团簇
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
79.
Behavior of dislocations due to thermal shock and critical shear stress of Si in Czochralski crystal growth
机译:
Czochralski晶体生长中Si的热冲击和临界剪切应力因脱位的行为
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
dislocation due to thermal shock;
si crystal growth;
melting temperature of si;
critical shear stress;
B concentration;
80.
Dynamic nuclear polarization of ~(29)Si via spin S = 1 centers in isotopically controlled silicon
机译:
〜(29)Si的动态核极化通过旋转S = 1个中心在同位素控制的硅中
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
silicon;
excited triplet states;
dynamic nuclear polarization;
81.
ZnO nanocrystals/SiO_2 multilayer structures fabricated by RF-magnetron sputtering
机译:
ZnO纳米晶体/ SiO_2由RF-Magnecron溅射制造的多层结构
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
zinc oxide;
nanocrystals;
magnetron sputtering;
photoluminescence;
82.
Deep-level transient spectroscopy studies of light-emitting diodes based on multiple-quantum-well InGaN/GaN structure
机译:
基于多量子井Ingan / GaN结构的发光二极管深层瞬态光谱研究
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
InGaN/GaN;
quantum-well superlattice;
wannier-stark effect;
83.
Radiation-induced deep levels in n-type GaAs grown by metal-organic chemical-vapor deposition
机译:
通过金属 - 有机化学 - 气相沉积生长的N型GaAs的辐射诱导的深层
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
GaAs;
deep levels;
irradiation;
DLTS;
MOCVD;
84.
Evidence for a shallow muonium acceptor state in Ge-rich Cz - Si_(1-x)Ge_x
机译:
富含GE-SI_(1-X)GE_X的浅幼苗受体状态的证据
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
hydrogen;
muonium;
shallow acceptors;
85.
Charge carrier removal rates in n-type silicon and silicon carbide subjected to electron and proton irradiation
机译:
N型硅和碳化硅的电荷载体去除速率对电子和质子辐射进行
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
silicon;
silicon carbide;
electron and proton irradiation;
86.
Deep centers in bulk A1N and their relation to low-angle dislocation boundaries
机译:
散装A1N的深度中心及其与低角度位错界的关系
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
bulk AlN;
physical vapor transport;
deep traps;
dislocation boundaries;
87.
Photo-induced spectral change in CeO_2 and CeO_2-based solid solution at room temperature
机译:
在室温下CEO_2和CEO_2的固体溶液中的光谱变化
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
88.
Low-threshold up-conversion luminescence in Zn_xCd_(1-x)S with oxidized surface
机译:
Zn_XCD_(1-X)S的低阈值上转换发光,具有氧化表面
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
Up-conversion luminescence;
quantum well;
cold auger process;
89.
ATEM study of in-grown stacking faults in 3C-SiC layers grown by CF-PVT on 4H-SiC substrates
机译:
CF-PVT在4H-SIC基板上生长的3C-SIC层中生长堆垛机的研究
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
3C-SiC;
CF-PVT;
TEM;
stacking faults;
90.
Minority-carrier-enhanced dissociation of the boron-hydrogen pair in silicon
机译:
少数型载体增强硅氢对的解离
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
silicon;
hydrogen;
photoexcitation;
91.
Thermal annealing behavior of deep levels in Rh-doped n-type MOVPE GaAs
机译:
RH掺杂N型Movpe GaAs中深度水平的热退火行为
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
GaAs;
rhodium;
deep levels;
annealing;
DLTS;
MOCVD;
92.
Massive point defect redistribution near semiconductor surfaces and interfaces and its impact on Schottky barrier formation
机译:
半导体表面和界面附近的大量点缺陷再分配及其对肖特基屏障形成的影响
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
defects;
cathodoluminescence spectroscopy;
interfaces;
segregation;
schottky barriers;
93.
Formation of nonuniformity in ZnSe/ZnMgSSe quantum well structures during MOVPE on GaAs(001) misoriented by 10° to (111 )_A plane
机译:
在GaAs(001)上的MOVPE期间在ZnSe / Znmgsse量子阱结构中形成不均匀性10°至(111)_A平面
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
ZnSe/ZnMgSSe QW structure;
x-ray diffraction;
cathodoluminescence;
MOVPE;
94.
Spin-dependent recombination of defects in bulk ZnO crystals and ZnO nanocrystals as studied by optically detected magnetic resonance
机译:
通过光学检测磁共振研究的散装ZnO晶体和ZnO纳米晶体中的缺陷依赖性重组
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
ZnO;
nanocrystals;
recombination;
ODMR;
95.
Thermally induced defect photoluminescence in hydrogenated amorphous silicon upon intense interband pumping
机译:
在激烈的间带式泵送时热诱导氢化非晶硅中的缺陷光致发光
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
amorphous silicon;
defects;
photoluminescence;
hydrogen glass;
96.
Defects of Ge quantum dot arrays on the Si(001) surface
机译:
Si(001)表面上GE量子点阵列的缺陷
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
ge quantum dots;
dense arrays;
defects;
scanning tunnelling microscopy;
97.
Low temperature transport spectroscopy of defects using Schottky-barrier MOSFETs
机译:
使用肖特基 - 屏障MOSFET的低温传输光谱缺陷
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
spectroscopy;
single defects;
electron transport;
98.
Optical studies of A~+-centers in GaAs/AlGaAs quantum wells. Energy structure of the isolated centers, and their collective behavior
机译:
GaAs / Algaas量子阱中的〜+ - 中心的光学研究。孤立中心的能量结构及其集体行为
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
GaAs;
acceptors;
quantum wells;
99.
Defect-induced polytype transformations in LPE grown SiC epilayers on (111) 3C-SiC seeds grown by VLS on 6H-SiC
机译:
在6H-SIC上的(111)vls中的3c-sic种子的LPE生长SiC脱落剂中的缺陷诱导的聚催化转化
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
SiC;
LPE;
TEM;
LTPL;
100.
Hydrogenic impurity binding energy in vertically coupled Ga_(1-x)Al_xAs quantum-dots under hydrostatic pressure and applied electric field
机译:
静液压压力下垂直耦合Ga_(1-x)Al_xas量子点的氢杂质杂质能量,施加电场
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
multiple quantum dots;
donor impurity;
electric field;
hydrostatic pressure;
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